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  • 蓝宝石晶体定向外界条件变化容易造成晶格排列错位

    蓝宝石晶体(0001)面和(1120)面的位错腐蚀坑呈现不同的形状是由晶体所属的点群和晶体结构所决定的。化学腐蚀剂的作用就是破坏晶体内部分子或原子间相互作用键,键合力较小的首先被破坏。而在晶体生长过程中位错也主要产生在相互键合较弱的分子或原
    发布时间:2019-12-02   点击次数:7

  • 单晶定向用NaOH对蓝宝石进行化学腐蚀法试验

    半导体晶体的内在质量、晶体缺陷、杂质浓度等直接关系到外延层和器件的质量及成品率。准确地显示出晶体缺陷、研究其形成机理和控制及消除技术对制备高质量晶体是非常重要的。单晶定向主要研究了用化学腐蚀的方法显示蓝宝石单晶的位错缺陷的条件,为提高晶体质
    发布时间:2019-11-25   点击次数:4

  • 蓝宝石晶体定向用KOH进行化学腐蚀

    蓝宝石性质稳定,常温条件下难与酸、碱反应。但在高温条件下用熔融的KOH会对蓝宝石单晶产生化学腐蚀。不同腐蚀时间的腐蚀结果的密度为3.98g/cm3。其化学性能非常稳定,一般不溶于水,不受酸、碱腐蚀。蓝宝石的硬度很高,为莫氏硬度9级,仅次于最
    发布时间:2019-11-18   点击次数:6

  • 化学腐蚀法研究蓝宝石晶体定向中的位错缺陷

    为了适应工业化蓝宝石晶体定向的需求目前采用人工方法制备蓝宝石晶体则成为获得大直径、高完整性和按要求晶面生长单晶的主要方法。蓝宝石晶体的生长方法主要有:熔焰法Verneuil、提拉法(CZ法)、导膜法(EFG法)、感应温场上移法(1FUS法)
    发布时间:2019-11-11   点击次数:1

  • 单晶材料蓝宝石单晶中的位错缺陷

    近年来宽禁带(Eg>2.3V)半导体材料发展十分迅速,称为第三代电子材料。主要包括SiC、金刚石、GaN等。同一、二代电子材料相比,第三代电子材料具有禁带宽度大,电子漂移饱和速度高、介电常数小、导热性能好等特点,单晶材料非常适用于制作抗辐射
    发布时间:2019-11-04   点击次数:13

  • 硅单晶定向实际生产中晶体中氧浓度参数调整

    在硅单晶的实际生产中,就晶体中氧浓度而言有人建议采用数种方法,以处理生长期间晶体固化速率或生长长度的问题,所述方法包括对坩埚旋转速度、炉内压力、大气流速、静磁场应用或其数个参数(以下称作操作参数)组合的调整。可通过调整操作参数来调整晶体内的
    发布时间:2019-10-28   点击次数:11

  • 硅单晶定向中晶体上拉方向氧浓度不均匀的问题

    硅晶片内的氧通过捕捉在装置生产过程中混入晶片内的污染原子(内在的吸气作用)而具有改良器件特性的作用。所以,应将晶体定径部分(crystalfixeddiameterpart)整个区域内硅单晶中的氧浓度限制在给定的范围内。混入硅单晶内的
    发布时间:2019-10-21   点击次数:16

  • X射线定向仪单晶定向原理是什么?

    x射线的波长和晶体内部原子面之间的间距相近,晶体可以作为X射线的空间衍射光栅,即一束X射线照射到物体上时,受到物体中原子的散射,每个原子都产生散射波,这些波互相干涉,结果就产生衍射。衍射波叠加的结果使射线的强度在某些方向上加强,在其他方向上
    发布时间:2019-10-15   点击次数:52

  • 硅单晶定向中的单晶硅与多晶硅的区别

    硅是地球上储藏丰富的材料之一,从19世纪科学家们发现了晶体硅的半导体特性后,它几乎改变了一切,甚至人类的思维。直到上世纪60年代开始,硅材料就取代了原有锗材料。硅材料,因其具有耐高温和抗辐射性能较好,特别适宜制作大功率器件的特性而成为应用多
    发布时间:2019-10-08   点击次数:22

  • 丹东新东方晶体仪器有限公司祝十一快乐

    丹东新东方晶体仪器有限公司成立于1993年,是一家专注于生产X射线定向仪的专业企业。自公司成立20年以来,为单晶材料生长、加工企业提供了数千台定向仪器,积累了丰富的生产、服务经验。产品出口到台湾、韩国、日本、俄罗斯等地区。在蓝宝石晶体加工行
    发布时间:2019-10-01   点击次数:45

  • 观测硅单晶定向晶体中缺陷的实验方法

    目前用来观测硅单晶定向中缺陷的实验方法很多,金相腐蚀法就是其中一种,这种方法操作简单,直观,是晶体缺陷观察的有力工具。晶体中的缺陷一般仅涉及几层原子的排列畸变,因此用普通显微镜不能直接观察到它们,更不能发现晶体内部的缺陷。但由于缺陷附近的畸
    发布时间:2019-09-23   点击次数:35

  • 硅单晶定向中的层错

    硅单晶定向中一个完整的晶体可以理解为许多平行晶面以一定方式堆积而成。当这种正常的堆积方式被破坏时,使在晶体中造成一层缺陷。在外延生长过程中,由于衬底上某处,或者在抛光过程中产生的微痕,或者有微粒,氧化物,或者清洗过程留下的污点等会使该处原子
    发布时间:2019-09-16   点击次数:15

  • 硅单晶定向中硅材料的位错

    在实际应用的硅单晶定向材料的晶格中,总是存在着偏离理想情况的各种复杂现象。存在着各种形式的缺陷。按着缺陷,晶体空间分布尺寸的情况可以分为点缺陷、线缺陷、面缺陷等,这里主要讨论硅单晶体中的位错和硅外延片中的层错。  位错是硅单晶中主要的一部分
    发布时间:2019-09-10   点击次数:51

  • 单晶定向中的用解理法进行激光轴直接定向

    硅单晶定向将待测晶锭一端先磨成锥形,在盛有80#金刚砂的研钵中研磨,使锥形端面解理出许多微小的解理面,这些解理面都是按一定的晶向解理出来的,因而包含着结晶学构造中的各种方向特征。对于硅单晶一类的金刚石结构,其一解理面,这是由于这个晶面族之间
    发布时间:2019-09-06   点击次数:38

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