晶体生长系统的主要方法是什么

发布日期：2017-11-24 00:00 来源：http://www.ddxdf.com 点击：

这种方法主要用于制作SiC磨料，无法满足半导体要求。直到1955年，首先在实验室用升华法成功制备出了SiC单晶，如图2所示，他将SiC 粉料放在石墨坩埚和多孔石墨管之间, 通入惰性气体(通常用氩气)，在压力为1atm 条件下，加热至约2500℃的高温，SiC 粉料升华分解为Si， SiC2和Si2C等气相组分，在生长体系中温度梯度产生的驱动力下，气相组分在温度较低的多孔石墨管内壁上自发成核生成片状SiC 晶体，这种方法奠定了毫米级SiC单晶生长的工艺基础，此后，有关SiC的研究工作展开。1978年，Tairov和Tsvetkov[9]成功的把Lely法与籽晶、温度梯度等其它晶体生长技术研究中经常考虑的因素巧妙地结合在一起，创造出改良的SiC晶体生长技术，PVT法是目前商品化SiC晶体生长系统的主要方法。

硅是地球上储藏丰富的材料之一，从19世纪科学家们发现了晶体硅的半导体特性后，它几乎改变了一切，甚至人类的思维。直到上世纪60年代开始，硅材料就取代了原有锗材料。硅材料――因其具有耐高温和抗辐射性能较好，特别适宜制作大功率器件的特性而成为应用多的一种半导体材料，集成电路半导体器件大多数是用硅材料制造的。

熔融的单质硅在凝固时硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核，如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒，则这些晶粒平行结合起来便结晶成单晶硅。单晶硅具有准金属的物理性质，有较弱的导电性，其电导率随温度的升高而增加，有显著的半导电性。超纯的单晶硅是本征半导体。在超纯单晶硅中掺入微量的ⅢA族元素，如硼可提高其导电的程度，而形成p型硅半导体；如掺入微量的ⅤA族元素，如磷或砷也可提高导电程度，形成n型硅半导体

硅单晶