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单晶材料晶片的定向原理

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单晶材料晶片的定向原理

发布日期:2018-06-12 00:00 来源:http://www.ddxdf.com 点击:

  在用这些晶体的晶片做外延生长时,在不同的晶向上外延沉积的速率是不同的。因此,正晶向生长的晶体在用户做外都要求晶片偏向邻近晶面某一角度,以保证在同样生长条件下外延沉积速率较快,并且外延层的表面质量也较好。

晶体定向的方法很多, 下面仅介绍我单位所用的 YX -Ⅱ型X射线衍射仪的定向方法。YX -Ⅱ型定向仪只能做一维旋转, 它特别适用于已知晶向的定向。

  把单晶材料晶片的定向原理应用到生产中, 就是使定向仪与切片机密切配合, 从而切割出合乎要求的晶片。生产的YX-Ⅱ型定向仪, 切片机为瑞士切片机, 切割材料为 Si、GaAs、GaP。由于切片机有两个可调整切片角度的刻度盘, 一为水平旋转, 一为垂直旋转。

  通过以上的测量和计算, 我们就得出了晶向在水平和垂直方向的偏移角 A和 B的值以及校正的旋转方向。在切片机上按所得结果设定导轨左右和上下偏转的角度, 即可得到正晶向的晶片。定出了正晶向, 根据单晶的晶体结构再偏转, 就可切出向其它晶向偏转的晶片。目前, 通过大批量的加工, 我们已熟练地掌握了这一技术。切割精度达到 5′以内。

  拟定探伤辐射事端应急预案,预案中应包含事端预防办法、发作事端后的处理办法和事端陈述程序等内容。发作或发现辐射事端后,事端单位应依据法规需求,当即向使用地环境保护行政主管部门、卫生行政主管部门陈述。


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