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单晶材料晶体生长是发生在状态临界界面上

2023-08-29 09:16:01

单晶材料晶体生长是发生在状态临界界面上,因为熔体温度高于材料熔点,而要生长单晶,籽晶浸入部分又不能融化(只能软化),所以要求温度满足低于材料熔点。单晶材料这要在熔体与晶核之间界面处形成一定的温度梯度,从熔体到晶体,温度以一定趋势降低。

单晶定向晶体生长是发生在固-液(或晶-液)界面上。通常为保证晶体粒生长只需使固-液界面附近很小区域熔体处于过冷态,绝大部分熔体处于过热态(温度高于Te )。已生长出的晶体温度又需低于Te。就是说整个体系由熔体到晶体的温度由过热向过冷变化。过热与过冷区的界面为等温区。此面与晶体生长界面间的熔体为过冷熔体。且过冷度沿晶体生长反方向逐渐增加。晶体的温度低。蓝宝石晶体定向这种由晶体到熔体方向存在的温度梯度是热量输运的条件。热量由熔体经生长面传向晶体,并由其转出。综述了当前难熔金属单晶制备的技术现状,介绍了难熔金属单晶技术进展,并对难熔金属合金单晶前景进行了展望。

缓慢向熔体下降,避免热冲击,降至离熔体0.5~1mm处,等待1小时,待籽晶与熔体温度相近时,开始引颈。引颈的过程须要进行“缩颈”,以减少籽晶的位错向晶体的扩展。放肩:经“缩颈”一定长度后,开始缓慢放肩,要获得高品质的单晶,放肩的角度要小,肩型要缓,放肩角小于60度为好。采用流延成型和陶瓷烧结技术可以克服单晶键合技术的缺陷,实现平面波导结构激光陶瓷的制备。


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