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单晶材料晶体生长是发生在固-液界面上

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单晶材料晶体生长是发生在固-液界面上

发布日期:2018-08-03 00:00 来源:http://www.ddxdf.com 点击:

  单晶材料晶体生长是发生在固-液界面上。通常为保证晶体粒生长只需使固-液界面附近很小区域熔体处于过冷态,绝大部分熔体处于过热态。用于制造半导体器件、太阳能电池等。用纯度高的多晶硅在单晶炉内拉制而成。单晶材料我们的生活中处处可见“硅”的身影和作用,晶体硅太阳能电池是近15年来形成产业化快的。已生长出的晶体温度又需低于Te。就是说整个体系由熔体到晶体的温度由过热向过冷变化。过热与过冷区的界面为等温区。此面与晶体生长界面间的熔体为过冷熔体。单晶硅是制造半导体硅器件的原料,用于制大功率整流器、大功率晶体管、二极管、开关器件等。在开发能源方面是一种很有前途的材料。


  且过冷度沿晶体生长反方向逐渐增大晶体的温度低。单晶定向这种由晶体到熔体方向存在的温度梯度是热量输运的条件。热量由熔体经生长面传向晶体,并由其转出。就是说整个体系由熔体到晶体的温度由过热向过冷变化。过热与过冷区的界面为等温区。此面与晶体生长界面间的熔体为过冷熔体。且过冷度沿晶体生长反方向逐渐增大。晶体的温度低。蓝宝石晶体定向这种由晶体到熔体方向存在的温度梯度是热量输运的条件。热量由熔体经生长面传向晶体,并由其转出。单晶硅按晶体生长方法的不同,分为直拉法、区熔法和外延法。直拉法、区熔法生长单晶硅棒材,外延法生长单晶硅薄膜。直拉法生长的单晶硅主要用于半导体集成电路、二极管、外延片衬底、太阳能电池。只有晶体温度梯度增大,熔体温度梯度减少,才能提高晶体生长速度。需指出:晶体生长速度并非越大越好,太大会出现不完全生长,影响质量。



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