碳化硅定向材料有哪些特征

发布日期：2020-05-18 00:00 来源：http://www.ddxdf.com 点击：

碳化硅SiC是IV-IV族二元化合物半导体材料，也是元素周期表中V族元素中一种固态碳化物单晶材料。SiC由碳原子和硅原子组成，但其晶体结构具有同质多型体的特点。在半导体领域常用的是4H-SiC和6H-SiC两种，SiC与其它半导体材料具有相似的特性，4H-SiC的饱和电子漂移速度是Si的两倍，从而为SiC器件提供了较高的电流密度和较高的跨导。高击穿特性使SiC功率器件和开关器件具有较Si和GaAs器件高3-4倍的击穿电压，高的热导率和耐高温特性保证了SiC器件具有较高的功率密度及高温工作的可靠性。

碳化硅（SiC）器件

1、SiC二极管

2、SiC光电器件

3、SiC JFET

4、SiC晶体管

5、SiC晶闸管等

碳化硅定向材料和它制成的功率器件的特点：

碳化硅Sic的能带间隔为硅的2.8倍（宽禁带）,达到3.09电子伏特。其绝缘击穿场强为硅的5.3倍，高达3.2MV/cm,其导热率是硅的3.3倍，为49w/cm.k。

它与硅半导体材料一样，可以制成单晶定向仪、结型器件、场效应器件、和金属与半导体接触的肖特基二极管。

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