硅单晶定向材料晶片的定向原理

发布日期：2021-11-08 00:00 来源：http://www.ddxdf.com 点击：

　　在用这些硅单晶定向晶体的晶片做外延生长时，在不同的晶向上外延沉积的速率是不同的。因此，正晶向生长的晶体在用户做外都要求晶片偏向邻近晶面某一角度，以保证在同样生长条件下外延沉积速率较快，并且外延层的表面质量也较好。

晶体定向的方法很多, 下面仅介绍我单位所用的 YX -Ⅱ型X射线衍射仪的定向方法。YX -Ⅱ型定向仪只能做一维旋转, 它特别适用于已知晶向的定向。

　　把单晶材料晶片的定向原理应用到生产中, 就是使定向仪与切片机密切配合, 从而切割出合乎要求的晶片。生产的YX-Ⅱ型定向仪, 切片机为瑞士切片机, 切割材料为 Si、GaAs、GaP。由于切片机有两个可调整切片角度的刻度盘, 一为水平旋转, 一为垂直旋转。

　　通过以上的测量和计算, 我们就得出了晶向在水平和垂直方向的偏移角 A和 B的值以及校正的旋转方向。在切片机上按所得结果设定导轨左右和上下偏转的角度, 即可得到正晶向的晶片。定出了正晶向, 根据单晶的晶体结构再偏转, 就可切出向其它晶向偏转的晶片。目前, 通过大批量的加工, 我们已熟练地掌握了这一技术。切割精度达到 5′以内。

　　拟定探伤辐射事端应急预案，预案中应包含事端预防办法、发作事端后的处理办法和事端陈述程序等内容。发作或发现辐射事端后，事端单位应依据法规需求，当即向使用地环境保护行政主管部门、卫生行政主管部门陈述。

单晶材料