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1 单晶材料晶体定向切割分析1.1 定向分析目前世界上所用的晶体材料如Si、等单Ge质晶体或GaAs、GaP、InP等化合物半导体晶体都是闪锌矿结构,一般都是沿〈111〉、〈100〉或〈
发布时间：2015-11-10 点击次数：343
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目的：用泡生法生长的晶体直接在X光下完成晶球C偏M45°定向到晶块C偏M45°定向。晶球C偏M45°晶体定向（以下图片仅供参考）一、使用DX-8BD400AG主机。1、主机可以测量晶体规格：A向高度50
发布时间：2015-11-10 点击次数：334
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单晶材料X射线探伤机体后,可使组织细胞和体液发生一系列变化,组织中的细胞被电离辐射灭活,从而引起以造血组织损伤为主的放射性损害。放射性损害程度受照射剂量、照射面积和部位、受照个体与组织细胞的放射敏感率以及射线的能量等多种复杂因素的影响。
发布时间：2015-11-10 点击次数：62
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单晶材料相对普通的多晶体材料性能特殊，一般采用提拉法制备。单晶材料根据晶体生长法制作分为借由柴克劳司基法又名晶体生长法将复晶晶体提炼成对称的、有规律的、成几何型的单晶晶格结构。浮区法可将低纯度硅晶体提炼成对称的、有规律的、成几何型的单晶晶格
发布时间：2015-11-25 点击次数：177
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单晶材料单晶材料的制备也称为晶体的生长，是将物质的非晶态、多晶态或能够形成该物质的反应物通过一定的化学的手段转变为单晶的过程。首先将结晶的物质通过熔化或溶解方式转变成熔体或溶液。再控制其热力学条件生成晶相，并让其长大。随着晶体生长学科理论和
发布时间：2015-12-16 点击次数：104
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径向温度梯度不引起位错产生的条件为：在实际的晶体生长中，由于A1203材料熔点很高，为了获得足够的化料温度和维持较高的正常的晶体生长温度，热场设计的都比较紧凑，外界条件的波动往往造成温度梯度的不稳定变化。同时，实际生长晶体中坩埚与晶体的直径
发布时间：2019-12-17 点击次数：47
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单晶材料基本原理高温溶液法,其中包括温差法、降温法或升温法及等温法。目前主要采用温差水热结晶,依靠容器内的溶液维持温差对流形成过饱和状态通过缓冲器和加热来调整温差。晶体生长方法
发布时间：2016-03-03 点击次数：292
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单晶材料目前，主流的有机-无机杂化钙钛矿太阳能电池器件主要有两种架构，即多孔结构和平面型结构。这两种结构中，有机-无机杂化钙钛矿的存在形式均为基于多晶纳米薄膜，其光电转换效率已经超过20%。对于有机-无机杂化钙钛矿体系，单晶器件的光电性能要
发布时间：2016-03-31 点击次数：78
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单晶材料的制备又称晶体生长，是物质的非晶态，多晶态，或能够形成该物质的反应物，通过一定的物理或化学手段转变为单晶状态的过程。首先将结晶的物质通过熔化或溶解方式转变成熔体或溶液。再控制其热
发布时间：2016-04-12 点击次数：151
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单晶材料是一种应用日益广泛的新材料，有单独的一个晶体组成，其衍射花样为规则的点阵。相对普通的多晶体材料性能特殊，一般采用提拉法制备。单晶材料根据晶体生长法制作分为1.借由柴克劳司基法
发布时间：2016-04-28 点击次数：87
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单晶材料的制备也称为晶体的生长，是将物质的非晶态、多晶态或能够形成该物质的反应物通过一定的化学的手段转变为单晶的过程。首先将结晶的物质通过熔化或溶解方式转变成熔体或溶液。再控制其热力学
发布时间：2016-08-15 点击次数：92
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单晶材料相对普通的多晶体材料性能特殊，一般采用提拉法制备。单晶材料根据晶体生长法制作分为1.借由柴克劳司基法(Czochralski)又名晶体生长法将复晶晶体提炼成对称的、有规律的、成
发布时间：2016-06-03 点击次数：119
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单晶材料是由结构基元在三维空间内，呈周期排列而成的固态物质。如水晶，金刚石，宝石等。单向有序排列决定了它具有以下特征：均匀性、各向异性、自限性、对称性、小内能和大稳定性。随着生产和科学
发布时间：2016-06-17 点击次数：158
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半导体单晶材料的应用制备不同的半导体器件对半导体材料有不同的形态要求，包括单晶的切片、磨片、抛光片、薄膜等。半导体材料的不同形态要求对应不同的
发布时间：2016-06-24 点击次数：140
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（一）单晶材料X射线晶体定向仪安装除了知足使用前提外还应具备下列前提：透风良好，灰尘少；地面平坦附近无震惊。（二）安装方法：X射线晶体定向仪应在标有开箱处开箱后搬到安装场地，安装前应首先按装箱单，核对仪器各部件若发现不齐全，应立刻与厂家
发布时间：2016-07-07 点击次数：88
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这些半导体材料制成的器件大都只能在200℃以下的环境中工作，不能满足现代电子技术对高温、高频、高压以及抗辐射器件的要求。作为第三代宽带隙半导体材料的代表，碳化硅(SiC)单
发布时间：2016-08-05 点击次数：237
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近年来宽禁带(Eg＞2．3V)半导体材料发展十分迅速，称为第三代电子材料。主要包括SiC、金刚石、GaN等。同一、二代电子材料相比，第三代电子材料具有禁带宽度大，电子漂移饱和速度高、介电常数小、导热性能好等特点，单晶材料非常适用于制作抗辐射
发布时间：2019-11-04 点击次数：118
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市场的巨大潜力让设备提供商们也闻风而动，各种新技术的应用也让水质分析仪器市场更加风声水起。除了传统的pH计，电导率仪，浊度仪，溶氧仪，总有机碳分析仪，总磷总氮测试仪等仪器外，近年来，一
发布时间：2017-08-04 点击次数：103
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单晶材料随着现代科学技术进步和大家生活水平进步，x射线晶体定向仪做为高科技电子元件，广泛地用于空间、军事技术、计算机、无线电设备、电子仪器、彩电等各种家用电器，各种电话机、移动电话、寻
发布时间：2016-10-25 点击次数：104
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单晶材料两个或两个以上同种晶体构成的、非平行的规律连生体。又称孪晶。在构成双晶的两个单晶体间，必会有部分的对应晶面、对应晶棱相互平行，但不可能全部一一平行，然而它们必可通过
发布时间：2017-05-08 点击次数：270
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单晶材料以硅(Si)、砷化镓(GaAs)为代表的一代和二代半导体材料的高速发展，推动了微电子、光电子技术的迅猛发展。然而受材料性能所限，这些半导体材料制成的器件大都只能在200℃以下的环境中工作，不
发布时间：2016-11-29 点击次数：162
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1、稳定的机架结构设计，增强了设备在晶体生长过程中的抗振动能力。2、优化的液压提升机构确保副炉室提升和复位时的运动平稳性。3、单晶材料与主机分离的分水器设计，在减少冷却水振动对晶体生长的影响的同时优化了水路布局。4、
发布时间：2017-02-20 点击次数：135
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大多数的合成化学家认为培养出满足质量的单晶更是一门艺术而非科学。为支持这个说法，他们会提出很多事情，要得到这样的单晶材料似乎是机遇而且事实上有些人有很好的养单晶的能力。这个论点有一定道理但是实验已经表明完整的理解晶体生长和溶剂的性质、认真分
发布时间：2017-03-09 点击次数：205
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单晶是由单个晶体构成的材料，单晶在自然界存在，如金刚石晶体等，也可由人工制成，如锗和硅单晶等。单晶是由一个晶核长成的，其所有晶胞均呈相同的位向，因而具有各向异性。单晶材料的制备是将物质的非晶态、多晶态或能够形成该物质的反应物通过一定的物理或
发布时间：2017-03-16 点击次数：286
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单晶材料的定向原理单晶材料定向的方法很多,下面仅介绍我单位所用的YX-Ⅱ型x射线衍射仪的定向方法。YX-Ⅱ型定向仪只能做一维旋转,它特别适用于已知晶向的精密定向。它的定向原理如图2所示,把切割好的晶片表面置于Hhkl位
发布时间：2017-06-12 点击次数：347
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单晶材料是一种应用日益广泛的新材料，有单独的一个晶体组成，其衍射花样为规则的点阵。相对普通的多晶体材料性能特殊，一般采用提拉法制备。单晶材料根据晶体生长法制作分为1.借由柴克劳司基法(Czochralski)又名晶体生长法将复
发布时间：2017-06-19 点击次数：187
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单晶材料是一种宽禁带直接带隙半导体ZnO晶体为纤锌矿结构室温下禁带宽度为3.37eV激子束缚能为60meV远大于室温热离化能26meV。ZnO具有良好的光学性能成为了国际上研究光电器件的热点材料例如气体传感器压电传感器透明电极短波长激光器
发布时间：2017-07-28 点击次数：138
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单晶材料X射线晶体定向仪安装除了知足使用前提外还应具备下列前提：透风良好，灰尘少；地面平坦附近无震惊。安装方法：X射线晶体定向仪应在标有开箱处开箱后搬到安装场地，安装前应首先按装箱单，核对仪器各部件若发现不齐全，应立刻与厂家取得联系。具
发布时间：2018-12-07 点击次数：87
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液体渗透探伤主要用于查缉坡口外表、碳弧气刨清根后或焊缝欠缺扫除净尽后的刨槽外表、工卡具干掉的外表以及不方便磁粉探伤部位的外表张嘴欠缺。蓝宝石晶体定向仪是目前晶体切割加工中重要的定向专用设备，在仪器设备自动化程度迅速提高的今天，国产仪器虽
发布时间：2018-12-14 点击次数：100
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单晶是由单个晶体构成的材料，单晶在自然界存在，如金刚石晶体等，也可由人工制成，如锗和硅单晶等。单晶是由一个晶核长成的，其所有晶胞均呈相同的位向，因而具有各向异性。从熔体中生长晶体是制备大单晶和特定形状的单晶常用的和重要的一种方法，电子学、光
发布时间：2019-04-30 点击次数：142
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高温溶液法是生长单晶材料的一种重要方法，也是古代的炼丹术所采用的手段之一。高温下从溶液或者熔融盐溶剂中生长晶体，可以使溶质相在远低于其熔点的温度下进行生长。此法与其它方法相比具有如下优点：1.适用性强，只要能找到适当的助熔剂或助熔剂组合，就
发布时间：2019-05-07 点击次数：116
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单晶材料的制备有以上熔体法、常温溶液法、高温溶液法、气相法等方法，而不同的特备方法下晶体额生长方法也不一样，目前已经发展出多种生长晶体的方法，具体工艺流程如下：熔体法晶体生长方法简介：熔体法生长晶体有多种不同的方法和手段，如：提拉法、坩埚下
发布时间：2019-05-14 点击次数：64
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单晶材料的制备有以上熔体法、常温溶液法、高温溶液法、气相法等方法，而不同的特备方法下晶体额生长方法也不一样，目前已经发展出多种生长晶体的方法，具体工艺流程如下：降温法是从溶液中培养晶体的一种常用的方法。这种方法适用于溶解度和温度系数都较大的
发布时间：2019-05-17 点击次数：105
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单晶材料是由单个晶体构成的材料，单晶材料在自然界存在，如金刚石晶体等，也可由人工制成，如锗和硅单晶等。单晶是由一个晶核长成的，其所有晶胞均呈相同的位向，因而具有各向异性。单晶硅具有金刚石晶格，晶体硬而脆，具有金属光泽，能导电，但导电率不及金
发布时间：2019-05-24 点击次数：63
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1、单晶材料穿透才能。取决于X射线探伤机的容量，通常来说X射线探伤机的管电压愈高，X射线愈硬，能量愈大，穿透才能就愈强。 2、被查验工件的原料的密度等性质也需求思考。钢铁等重金属以及较厚的工件，应当挑选管电压较高的X射线探伤机。铝、镁
发布时间：2016-07-15 点击次数：91
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单晶材料什么是通用磁粉X射线探伤机? 通用也就是说该磁粉X射线探伤机能适合大多数的零部件检测，我们所说的通用型磁粉X射线探伤机也就是指CJW-2000型磁粉X射线探伤机，那么为什么CJW-2000型磁粉X射线探伤机可以称为通用磁粉X射
发布时间：2016-10-08 点击次数：107
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单晶材料磁粉X射线探伤机应在下列环境条件下正常工作： a)温度：—10°C～+40°C; b)空气相对湿度不大于85%; c)无大量尘埃、易燃或腐蚀性气体; d)无强电磁辐射和电磁干扰; e)电源电压波动不超过额定电源电压的±
发布时间：2016-07-18 点击次数：107
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单晶材料据数据显示，1-10月，仪器仪表制造业实现主营收入6074.7亿元，同比增长15.5%;主营活动利润435亿元，同比增长6.8%。尽管今年仪器仪表业走势相对良好，但是中国仪器仪表行业协会名誉理事长奚家成日前提醒说，绝大部分企业产
发布时间：2016-07-11 点击次数：123
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单晶材料X射线单晶定向仪产业规划是指综合运用各种理论分析工具，从当地实际状况出发，充分考虑国内外及区域经济发展趋势，对当地X射线单晶定向仪产业发展的定位、产业体系、产业结构、X射线单晶定向仪产业链、空间布局、创新能力、经济社会环境影响、实施
发布时间：2015-11-10 点击次数：135
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单晶材料随着现代科学技术进步和大家生活水平进步，x射线晶体定向仪做为高科技电子元件，广泛地用于空间、军事技术、计算机、无线电设备、电子仪器、彩电等各种家用电器，各种电话机、移动电话、寻呼机、甚至电子挂钟、玩具等。未来的轿车辅助驾驭仪，每台需
发布时间：2015-11-10 点击次数：153
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（一）单晶材料X射线晶体定向仪安装除了知足使用前提外还应具备下列前提：透风良好，灰尘少；地面平坦附近无震惊。（二）安装方法：X射线晶体定向仪应在标有开箱处开箱后搬到安装场地，安装前应首先按装箱单，核对仪器各部件若发现不齐全，应立刻与厂家
发布时间：2015-11-10 点击次数：142
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单晶材料1、稳定的机架结构设计，增强了设备在晶体生长过程中的抗振动能力。2、优化的液压提升机构确保副炉室提升和复位时的运动平稳性。3、与主机分离的分水器设计，在减少冷却水振动对晶体生长的影响的同时优化了水路布局。4、
发布时间：2015-12-04 点击次数：166
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单晶材料是从结晶物质的熔体中生长晶体。适用于光学半导体，激光技术上需要的单晶材料。（一）晶体生长的必要条件。根据晶体生长时体系中存在的——由熔体（m）向晶体（C）自发转变时——两相间自由焓的关系：Gm(T)>Gc(T),即△G=Gc(
发布时间：2016-01-27 点击次数：303
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从实验可知，用熔融KOH进行化学腐蚀比用NaOH腐蚀效果好，得到的腐蚀图像清晰、准确。且最佳条件为熔融KOH在290℃腐蚀15min。同时对比实验发现国内外样片在晶体完整性方面差异不大。影响晶体完整性的因素是很多的。一般说来，单晶材料晶体生
发布时间：2019-12-09 点击次数：39
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单晶材料以硅(Si)、砷化镓(GaAs)为代表的一代和二代半导体材料的高速发展，推动了微电子、光电子技术的迅猛发展。然而受材料性能所限，这些半导体材料制成的器件大都只能在200℃以下的环境中工作，不能满足现代电子技术对高温、高频、高压以及抗
发布时间：2016-02-16 点击次数：167
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单晶材料我们的生活中处处可见“硅”的身影和作用，晶体硅太阳能电池是近15年来形成产业化快的。单晶硅，英文，Monocrystallinesilicon。是硅的单晶体。具有基本完整的点阵结构的晶体。不同的方向具有不同的性质，是一种良好的半导材
发布时间：2016-03-11 点击次数：92
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单晶材料拓扑超导态是物质的一种新状态，有别于传统的超导体，拓扑超导体的表面存在厚度约1纳米的受拓扑保护的无能隙金属态，其内部则是超导体。如果把一个拓扑超导体一分为二，其新表面又会自然出现一层厚度约1纳米的受拓扑保护的金属态。这种性质使得拓扑
发布时间：2016-03-18 点击次数：134
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单晶材料材料学的水平极大程度决定一个国家的高新科技的水平。好的装甲需要好材料，导弹的外壳需要好材料，飞机发动机叶片需要更优异的材料，高精尖的军用雷达半导体元器件也需要更好的材料。&nb
发布时间：2016-04-05 点击次数：128
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单晶材料结合单晶X射线应力测定基本原理,通过必要的理论分析,对现有单晶应力测定方法进行必要的改进和优化。基于工程实际应用需要,精简了单晶应力测定步骤并拓宽其应用范围,即不需要事先已知2θ
发布时间：2016-04-08 点击次数：119
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随着我国单晶材料制造业的不断发展，近些年来出现了采用多种宽带隙半导体、弛豫铁电体以及超导体为材料的功能晶体，在诸多领域当中都得了广泛的运用。作为结构复杂，功能多样的单晶材料，这些材料的
发布时间：2016-04-21 点击次数：124
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单晶材料是由结构基元（原子，原子团，离子），在三维空间内按长程有序排列而成的固态物质。或者说是由结构基元在三维空间内，呈周期排列而成的固态物质。如水晶，金刚石，宝石等。单向有序排列决定
发布时间：2016-05-02 点击次数：77
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要想知道非晶态材料和单晶材料分别是什么？首先我们要知道什么是非晶态材料？什么是单晶材料？非晶态材料也叫无定形或玻璃态材料,这是
发布时间：2016-06-13 点击次数：122
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结合单晶材料X射线应力测定基本原理,通过必要的理论分析,对现有单晶应力测定方法进行必要的改进和优化。基于工程实际应用需要,精简了单晶应力测定步骤并拓宽其应用范围,即不需要事先已知2θ0,
发布时间：2017-05-22 点击次数：378
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单晶材料是一种宽禁带直接带隙半导体ZnO晶体为纤锌矿结构室温下禁带宽度为3.37eV激子束缚能为60meV远大于室温热离化能26meV。ZnO具有良好的光学性能成为了国际上研究光电器件
发布时间：2016-07-04 点击次数：178
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（一）单晶材料生长的必要条件。根据晶体生长时体系中存在的——由熔体（m）向晶体（C）自发转变时——两相间自由焓的关系
发布时间：2016-07-29 点击次数：210
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晶体生长是发生在固-液（或晶-液）界面上。通常为保证晶体粒生长只需使固-液界面附近很小区域熔体处于过冷态，绝大部分熔体处于过热态（温度高于Te）。已生长出的晶体温度又需低于Te。就是说
发布时间：2017-08-18 点击次数：90
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单晶材料与多晶硅片在晶体品质、电学性能、机械性能方面有显着差异。单晶和多晶的差别主要在于原材料的制备方面，单晶是直拉提升法，多晶是铸锭方法，后端制造工艺只有一些细微差别。
发布时间：2016-10-31 点击次数：174
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拓扑超导态是物质的一种新状态，单晶材料有别于传统的超导体，拓扑超导体的表面存在厚度约1纳米的受拓扑保护的无能隙金属态，其内部则是超导体。如果把一个拓扑超导体一分为二，其新表面又会自然出
发布时间：2016-12-01 点击次数：245
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单晶材料是一种宽禁带直接带隙半导体ZnO晶体为纤锌矿结构室温下禁带宽度为3.37eV激子束缚能为60meV远大于室温热离化能26meV。ZnO具有良好的光学性能成为了国际上研究光电器件的热点材料例如气体传感器压电传感器透明电极短波长激光器
发布时间：2017-03-20 点击次数：107
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利用硅单晶所生产的太阳能电池可以直接把太阳能转化为光能，实现了迈向绿色能源革命的开始。现在，国外的太阳能光伏电站已经到了理论成熟阶段，正在向实际应用阶段过渡，太阳能硅单晶的利用将是普及到全世界范围，单晶材料市场需求量不言而喻。单晶硅已渗到国
发布时间：2017-11-10 点击次数：71
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1起源 单晶是由单个晶体构成的材料，单晶在自然界存在，如金刚石晶体等，也可由人工制成，如锗和硅单晶等。单晶是由一个晶核长成的，其所有晶胞均呈相同的位向，因而具有各向异性。2制备 单晶材料的制备是将物质的非晶态、多晶态或能够形成该物质的反
发布时间：2018-02-22 点击次数：254
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在国家自然科学基金项目（项目编号：21606087、21436005、51621001、21576095、21606088）等资助下，华南理工大学沈葵副研究员和李映伟团队与美国德克萨斯大学圣安东尼奥分校陈邦林等人合作，在有序大孔单晶材料
发布时间：2018-03-07 点击次数：190
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单晶材料的制备有三种方法，而不同的制备方法下晶体额生长方法也不一样，目前已经发展出多种生长晶体的方法，具体工艺流程如下：常温溶液法晶体生长方法简介 流动法：可以用于生长体积尺寸巨大的晶体，比如用于大功率激光设备的KDP晶体。流动法生长
发布时间：2018-03-13 点击次数：86
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到底是单晶材料好，还是多晶材料好？到底是单晶赚的多，还是多晶赚的多？这是行业内争论多年的话题。关于“好”，这个字本身就是很模糊的概念。不同的人，从不同角度，站在不同立场，对“好”的认识完全不同，甚至截然相反。同样一道菜，有人觉得好吃，有
发布时间：2018-03-23 点击次数：75
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单晶材料是一种宽禁带直接带隙半导体。要使熔体中晶体生长，须使体系的温度低于平衡温度。体系温度低于平衡温度的状态成为过冷。的绝对值为过冷度，表示体系过冷程度的大小。过冷度是熔体法晶体生长的驱动力。硅的单晶通常在熔化时生长，但熔化的高温会导
发布时间：2018-05-04 点击次数：213
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科研机构或规划部门在做X射线单晶定向仪产业规划时，包括X射线单晶定向仪产业现状分析、发展战略、产业定位、产业体系、产业链条、项目建议、环境影响、实施方案等产业分支进行综合研究分析做出科学的计划。但在人们心目中，多重视空间规划，强调规划者
发布时间：2018-05-11 点击次数：139
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华南理工大学沈葵副研究员和李映伟团队与美国德克萨斯大学圣安东尼奥分校陈邦林等人合作，在有序大孔单晶材料研究领域取得重要进展。研究成果以“有序大孔-微孔金属有机骨架单晶”为题，于2018年1月12日在《科学》上在线发表。 有的晶体本身就
发布时间：2018-05-15 点击次数：52
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通常半导体材料的晶锭生长是采用元素半导体或化合物半导体熔融液中的直拉单晶法或籽晶凝固法。然而由于热动力学原因，固态SiC只有在压强超过1×105atm、温度超过3200℃时才会熔化。目前，单晶材料晶体生长实验室及工厂所拥有的技术手段还无法达
发布时间：2019-07-16 点击次数：282
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单晶体是指样品中所含分子(原子或离子)在三维空间中呈规则、周期排列的一种固体状态.化学药物中的原料药(一般由单一成分组成)在合适的溶剂系统中经重结晶可得到适合X射线衍射使用的单晶样品,其大小约为0.5mm左右。例如:雪花、食盐小颗粒等.
发布时间：2018-05-18 点击次数：149
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单晶定向仪是一种用于测定水晶、硅锗单晶、激光晶体等各种单晶材料几何表面与内部某一晶面间角度的仪器，它包括有Ｘ射线管、管套、风冷电机、被测晶体、计数器、放大器、数显器、电表、稳压器、控制器、高压发生器、高压电缆、吸泵等组成，其主要技术特点
发布时间：2018-05-23 点击次数：172
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单晶体是容易观察和理解晶体衍射特性的方法。单晶体可以模拟来自单晶的X射线、中子和电子衍射图样，显示相互作用的晶格截面并构成平面或矢量的立体投影。通过将模拟图案与观察到的衍射图像结合，可以自动索引图案并确定晶体的取向。 单晶材料的整个样
发布时间：2018-05-30 点击次数：134
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单晶体提供了关键衍射技术的模拟进动和透射电子衍射-对样品和仪器参数的控制。倒数格子截面也可以被可视化，并控制层的高度。单晶体的多核结构极大地加速了大规模结构如蛋白质的模拟时间。一旦强度计算完成，衍射图案可以实时地使用鼠标或多触摸手势在轨
发布时间：2018-05-25 点击次数：78
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所谓单晶材料，即结晶体内部的微粒在三维空间呈有规律地、周期性地排列，或者说晶体的整体在三维方向上由同一空间格子构成，整个晶体中质点在空间的排列为长程有序。单晶整个晶格是连续的，具有重要的工业应用。由于熵效应导致了固体微观结构的不理想，例
发布时间：2018-06-01 点击次数：99
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单晶材料是由结构基元在三维空间内，呈周期排列而成的固态物质。如水晶，金刚石，宝石等。单向有序排列决定了它具有以下特征：均匀性、各向异性、自限性、对称性、小内能和大稳定性。随着生产和科学技术的发展?天然单晶已经不能满足人们的需要，各种产业
发布时间：2018-06-05 点击次数：184
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晶体生长是发生在固-液界面上。通常为保证晶体粒生长只需使固-液界面附近很小区域熔体处于过冷态，绝大部分熔体处于过热态。已生长出的晶体温度又需低于Te。就是说整个体系由熔体到晶体的温度由过热向过冷变化。过热与过冷区的界面为等温区。此面与晶
发布时间：2018-06-07 点击次数：194
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在用这些晶体的晶片做外延生长时，在不同的晶向上外延沉积的速率是不同的。因此，正晶向生长的晶体在用户做外都要求晶片偏向邻近晶面某一角度，以保证在同样生长条件下外延沉积速率较快，并且外延层的表面质量也较好。晶体定向的方法很多,下面仅介绍我
发布时间：2018-06-12 点击次数：250
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蓝宝石晶体定向的发现在人类历史上具有重要的意义，它为自然科学和医学开辟了一条崭新的道路，为此1901年伦琴荣获物理学诺贝尔奖金。它的波长比可见光的波长更短，它的光子能量比可见光的光子能量大几万至几十万倍。因此，X射线除具有可见光的一般性
发布时间：2018-06-15 点击次数：72
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单晶是由结构基元在三维空间内，呈周期排列而成的固态物质。单晶材料如水晶，金刚石，宝石等。单向有序排列决定了它具有以下特征：均匀性、各向异性、自限性、对称性、内能和稳定性。随着生产和科学技术的发展? 天然单晶已经不能满足人们的需要，各种
发布时间：2018-06-19 点击次数：106
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蓝宝石单晶是一种多功能材料。它耐高温，导热好，硬度高，透红外，化学稳定性好。广泛用于工业、国防和科研的多个领域。且过冷度沿晶体生长反方向逐渐增大。晶体的温度低。这种由晶体到熔体方向存在的温度梯度是热量输运的条件。热量由熔体经生长面传向晶
发布时间：2018-07-02 点击次数：181
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研究方向还包括对功能晶体和低维材料研究中具有共性的材料物理与化学基础科学问题，如基元与功能的图形设计、微观结构与宏观性能关系的机理研究，以揭示功能材料内在本质与外部条件之间的规律性。 单晶材料是信息时代的材料基础，薄膜和相关异质结构的
发布时间：2018-07-09 点击次数：114
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单晶材料晶体生长是发生在固-液界面上。通常为保证晶体粒生长只需使固-液界面附近很小区域熔体处于过冷态，绝大部分熔体处于过热态。用于制造半导体器件、太阳能电池等。用纯度高的多晶硅在单晶炉内拉制而成。单晶材料我们的生活中处处可见“硅”的身影
发布时间：2018-08-03 点击次数：198
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单晶材料的制备是将物质的非晶态、多晶态或能够形成该物质的反应物通过一定的物理或化学手段转变成单晶状态的过程。生长块状单晶材料有熔体法、常温溶液法、高温溶液法及其它相关方法。单晶定向仪是一种用于测定水晶、硅锗单晶、激光晶体等各种单晶材料几
发布时间：2018-08-17 点击次数：142
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单晶材料随着现代科学技术进步和大家生活水平进步，x射线晶体定向仪做为高科技电子元件，广泛地用于空间、军事技术、计算机、无线电设备、电子仪器、彩电等各种家用电器，各种电话机、移动电话、寻呼机、甚至电子挂钟、玩具等。未来的轿车辅助驾驭仪，每
发布时间：2018-11-27 点击次数：72
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单晶材料没有晶界，材料纯度高，内阻小，温度升幅较小;另一方面，多晶电池的光电转换效率较低，它将更多的光能转换为热能而非电能，也导致多晶的温度升高更明显。在高光强下，单晶工作温度比多晶低5~6℃左右，部分地区的多晶工作温度可以比单晶高出1
发布时间：2019-02-28 点击次数：276
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要想知道非晶态材料和单晶材料分别是什么？首先我们要知道什么是非晶态材料？什么是单晶材料？非晶态材料也叫无定形或玻璃态材料,这是一大类刚性固体,具有和晶态物质可相比较的高硬度和高粘滞系数(一般在10泊，即10帕·秒以上,是典型流体的粘滞
发布时间：2019-03-15 点击次数：223
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单晶材料是一种应用日益广泛的新材料，由单独的一个晶体组成，其衍射花样为规则的点阵。相对普通的多晶体材料性能特殊，一般采用提拉法制备。单晶材料根据晶体生长法制作分为借由柴克劳司基法(Czochralski)又名晶体生长法将复晶晶体提炼成对称的
发布时间：2019-04-02 点击次数：68
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SiC是较早发现的半导体材料之一，自1824年瑞典科学家Berzelius在人工合成金刚石的过程中观察到SiC多晶相以来，SiC单晶的发展经历了一个漫长而曲折的过程。1893年，Acheson将石英砂、焦炭、少量木屑以及NaCl的混合物放
发布时间：2019-04-12 点击次数：97
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单晶材料可以按照其晶格结构、所属点群、化学成分等进行分类，也可以按照其性质和应用来进行分类。而晶体的性质也可以分为固有物性与功能物性。单晶材料是是由分子、原子等按照特定的对称性规律在三维空间周期性排列而成的，晶体的性能由晶体的化学成分和晶体
发布时间：2019-04-18 点击次数：362
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单晶材料优势明显在过去几十年内，无论单晶材料电池还是多晶电池，生产工艺都非常粗糙，没有把单晶材料的性能充分发挥出来，转换效率的差异也不太明显。随着技术不断进步，晶体硅材料的发电性能利用程度不断被刷新，由于单晶材料本身的高品质特征、多晶材料本
发布时间：2019-04-24 点击次数：572
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以硅（Si）、砷化镓（GaAs）为代表的一代和二代半导体单晶材料的高速发展，推动了微电子、光电子技术的迅猛发展。然而受材料性能所限，这些半导体材料制成的器件大都只能在200℃以下的环境中工作，不能满足现代电子技术对高温、高频、高压以及抗辐射
发布时间：2019-04-26 点击次数：157
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从溶液中生长晶体的历史悠久，应用也很广泛。这种方法的基本原理是将原料(溶质)溶解在溶剂中，采取适当的措施造成溶液的过饱和状态，使晶体在其中生长。溶液法具有以下优点：1.晶体可在远低于其熔点的温度下生长。有许多晶体不到熔点就分解或发生不希望有
发布时间：2019-05-05 点击次数：111
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所谓气相法生长晶体，就是将拟生长的晶体材料通过升华、蒸发、分解等过程转化为气相，然后通过适当条件下使它成为饱和蒸气，经冷凝结晶而生长成晶体。气相法晶体生长的特点是：1.生长的晶体纯度高；2.生长的晶体完整性好；3.晶体生长速度慢；4.
发布时间：2019-05-10 点击次数：106
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单晶是由单个晶体构成的材料，单晶在自然界存在，如金刚石晶体等，也可由人工制成，如锗和硅单晶等。单晶是由一个晶核长成的，其所有晶胞均呈相同的位向，因而具有各向异性。单晶材料的制备有以上熔体法、常温溶液法、高温溶液法、气相法等方法，而不同的特备
发布时间：2019-05-21 点击次数：145
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一、蓝宝石晶体生长低成本、高质量地生长大尺寸蓝宝石单晶材料已成为当前面临的迫切任务。总体说来，蓝宝石晶体生长方式可划分为溶液生长、熔体生长、气相生长三种，其中熔体生长方式因具有生长速率快，纯度高和晶体完整性好等特点，而成为是制备大尺寸和特定
发布时间：2019-06-04 点击次数：159
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蓝宝石(Sapphire)是一种氧化铝(α-Al2O3)的单晶，又称为刚玉。蓝宝石晶体具有优异的光学性能、机械性能和化学稳定性，强度高、硬度大、耐冲刷，可在接近2000℃高温的恶劣条件下工作，因而被广泛的应用于单晶定向，红外军事装置、卫星空
发布时间：2019-06-07 点击次数：232
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单晶材料晶体生长是发生在固-液（或晶-液）界面上。通常为保证晶体粒生长只需使固-液界面附近很小区域熔体处于过冷态，绝大部分熔体处于过热态（温度高于Te）。已生长出的晶体温度又需低于Te。就是说整个体系由熔体到晶体的温度由过热向过冷变化。过
发布时间：2016-01-12 点击次数：196
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单晶材料晶体是在物相转变的情况下形成的。物相有三种，即气相、液相和固相。只有晶体才是真的固体。由气相、液相转变成固相时形成晶体，固相之间也可以直接产生转变。晶体生成的一般过程是先生成晶核，而后再逐渐长大。一般认为晶体从液相或气相中的生长有三
发布时间：2016-02-25 点击次数：127
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单晶材料我们的生活中处处可见“硅”的身影和作用，晶体硅太阳能电池是近15年来形成产业化快的。单晶硅，英文，Monocrystallinesilicon。是硅的单晶体。具有基本完整的点阵结构的晶体。不同的方向具有不同的性质，是一种良好的半导材
发布时间：2016-03-25 点击次数：169
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因为熔体温度高于材料熔点,而要生长单晶,籽晶浸入部分又不能融化(只能软化),所以要求温度满足低于材料熔点。单晶材料这要在熔体与晶核之间界面处形成一定的温度梯度,从熔体到晶体,温度以一定趋势降低。 单晶定向晶体生长是发生在固-液（或晶-
发布时间：2018-06-21 点击次数：276
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半导体碳化硅(SiC)单晶材料的发展史，简单介绍了半导体SiC单晶材料的结构与性质，对物理气相传输法(PVT)制备SiC单晶做了描述，详细介绍了SiC单晶中的微管、多型和小角晶界等重要缺陷，同时对SiC单晶材料的发展趋势进行了展望。以硅(S
发布时间：2020-03-04 点击次数：150
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提高硅晶体质量，就意味着必须降低晶体中得缺陷，正如单晶材料设备厂家所说，PVT法生长硅单晶需要控制的工艺参数较多，并且这些参数在生长过程中不断发生变化，所以对晶体中的缺陷控制比较困难。硅单晶的缺陷主要包括微管、多型、位错、层错和小角晶界等。
发布时间：2020-04-16 点击次数：37
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1 单晶材料晶体定向切割分析1.1 定向分析目前世界上所用的晶体材料如Si、等单Ge质晶体或GaAs、GaP、InP等化合物半导体晶体都是闪锌矿结构,一般都是沿〈111〉、〈100〉或〈
发布时间：2019-06-14 点击次数：97
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随着新能源行业的不断发展，人们对动力电池的要求也越来越高，随之而来的三元材料中镍含量的提升，但由此带来的正极材料稳定性问题、电解液匹配问题、大电流充电温升过高等引发的电池失效也越来越受到人们的关注，因此，单晶材料应运而生，不仅仅增强了正极材
发布时间：2020-01-15 点击次数：166
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单晶材料行业作为半导体产业的直接上游，是半导体行业技术进步并不断发展的基石。近年来，随着半导体行业向高质量发展转变，半导体级单晶硅材料行业对市场参与者的研发能力、生产能力及品质管控能力均提出了很高的要求，而缺乏高素质的研发人员和有经验的生产
发布时间：2020-01-06 点击次数：69
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SiC是最早发现的半导体材料之一，自1824年瑞典科学家Berzelius在人工合成金刚石的过程中观察到SiC多晶相以来，SiC单晶的发展经历了一个漫长而曲折的过程。1893年，Acheson将石英砂、焦炭、少量木屑以及NaCl的混合物放
发布时间：2020-03-12 点击次数：36
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在单晶材料硅晶体生长过程中，由于气相组分过饱和使晶坯边缘进行择优生长，从而产生了偏离籽晶方向的晶格失配区域，在晶格失配区域，不同晶向的晶粒之间形成晶界。晶界通常由扩展边缘和螺旋位错构成，并贯穿整个晶锭，这对器件结构是致命的。靠近晶体边缘的小
发布时间：2020-04-20 点击次数：32
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单晶材料分为天然晶体和人工晶体，随着技术的发展，目前天然晶体已经不能满足人们的需求，于是各种人工单晶材料就被相继开发出来。单晶材料被广泛用于电子工业、半导体工业、光学工业、机械加工业、钟表行业、超声及压电技术等领域。所以单晶材料检测在这些行
发布时间：2020-06-05 点击次数：111
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硅单晶材料在我们的生活中处处可见，“硅”的身影和作用，晶体硅太阳能电池是近15年来形成产业化快的。晶体生长是发生在固-液（或晶-液）界面上。通常为保证晶体粒生长只需使固-液界面附近很小区域熔体处于过冷态，绝大部分熔体处于过热态（温度高于Te
发布时间：2020-07-09 点击次数：87
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单晶硅缺陷，是对于晶体的周期性对称的破坏，使得实际的单晶材料晶体偏离了理想晶体的晶体结构。在各种缺陷之中，有着多种分类方式，如果按照缺陷的维度，可以分为以下几种缺陷：点缺陷：在晶体学中，点缺陷是指在三维尺度上都很小的，不超过几个原子直径的缺
发布时间：2020-07-16 点击次数：85
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在2012年，曾被寄予厚望的类单晶材料一时进退维谷，既不能得到全部的晶向而充分利用碱制绒制备金字塔绒面带来的陷光优势，又不能克服缺陷快速增殖导致的晶锭顶部和边角硅片的高缺陷密度劣势。在此背景下，既无外观瑕疵又无高密度位错的多晶应运而生。多晶
发布时间：2020-08-26 点击次数：9
好品质 
好材料 
好服务
