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  • [技术中心] 半导体碳化硅单晶材料的发展

    单晶材料以硅(Si)、砷化镓(GaAs)为代表的一代和二代半导体材料的高速发展,推动了微电子、光电子技术的迅猛发展。然而受材料性能所限,这些半导体材料制成的器件大都只能在200℃以下的环境中工作,不能满足现代电子技术对高温、高频、高压以及抗
    发布时间:2016-02-16   点击次数:148

  • [技术中心] 半导体碳化硅单晶材料的发展

    结合单晶材料X射线应力测定基本原理,通过必要的理论分析,对现有单晶应力测定方法进行必要的改进和优化。基于工程实际应用需要,精简了单晶应力测定步骤并拓宽其应用范围,即不需要事先已知2θ0,
    发布时间:2017-05-22   点击次数:186

  • [公司新闻] 半导体碳化硅单晶材料的发展

    这些半导体材料制成的器件大都只能在200℃以下的环境中工作,不能满足现代电子技术对高温、高频、高压以及抗辐射器件的要求。作为第三代宽带隙半导体材料的代表,碳化硅(SiC)单
    发布时间:2016-08-05   点击次数:153

  • [公司新闻] 硅单晶定向实际生产中晶体中氧浓度参数调整

    在硅单晶的实际生产中,就晶体中氧浓度而言有人建议采用数种方法,以处理生长期间晶体固化速率或生长长度的问题,所述方法包括对坩埚旋转速度、炉内压力、大气流速、静磁场应用或其数个参数(以下称作操作参数)组合的调整。可通过调整操作参数来调整晶体内的
    发布时间:2019-10-28   点击次数:11

  • [公司新闻] 让新东方晶体告诉你什么是硅单晶?

    让新东方晶体告诉你什么是硅单晶?硅单晶定向是一种比较活泼的非金属元素,是晶体材料的重要组成部分,处于新材料发展的前沿。其主要用途是用
    发布时间:2016-11-24   点击次数:143

  • [公司新闻] 半导体碳化硅单晶材料的发展

     单晶材料以硅(Si)、砷化镓(GaAs)为代表的一代和二代半导体材料的高速发展,推动了微电子、光电子技术的迅猛发展。然而受材料性能所限,这些半导体材料制成的器件大都只能在200℃以下的环境中工作,不
    发布时间:2016-11-29   点击次数:143

  • [技术中心] 硅单晶定向中晶体上拉方向氧浓度不均匀的问题

    硅晶片内的氧通过捕捉在装置生产过程中混入晶片内的污染原子(内在的吸气作用)而具有改良器件特性的作用。所以,应将晶体定径部分(crystalfixeddiameterpart)整个区域内硅单晶中的氧浓度限制在给定的范围内。混入硅单晶内的
    发布时间:2019-10-21   点击次数:16

  • [技术中心] 硅单晶定向中的单晶硅与多晶硅的区别

    硅是地球上储藏丰富的材料之一,从19世纪科学家们发现了晶体硅的半导体特性后,它几乎改变了一切,甚至人类的思维。直到上世纪60年代开始,硅材料就取代了原有锗材料。硅材料,因其具有耐高温和抗辐射性能较好,特别适宜制作大功率器件的特性而成为应用多
    发布时间:2019-10-08   点击次数:22

  • [技术中心] 观测硅单晶定向晶体中缺陷的实验方法

    目前用来观测硅单晶定向中缺陷的实验方法很多,金相腐蚀法就是其中一种,这种方法操作简单,直观,是晶体缺陷观察的有力工具。晶体中的缺陷一般仅涉及几层原子的排列畸变,因此用普通显微镜不能直接观察到它们,更不能发现晶体内部的缺陷。但由于缺陷附近的畸
    发布时间:2019-09-23   点击次数:35

  • [技术中心] 硅单晶定向中的层错

    硅单晶定向中一个完整的晶体可以理解为许多平行晶面以一定方式堆积而成。当这种正常的堆积方式被破坏时,使在晶体中造成一层缺陷。在外延生长过程中,由于衬底上某处,或者在抛光过程中产生的微痕,或者有微粒,氧化物,或者清洗过程留下的污点等会使该处原子
    发布时间:2019-09-16   点击次数:15

  • [公司新闻] 硅单晶定向中硅材料的位错

    在实际应用的硅单晶定向材料的晶格中,总是存在着偏离理想情况的各种复杂现象。存在着各种形式的缺陷。按着缺陷,晶体空间分布尺寸的情况可以分为点缺陷、线缺陷、面缺陷等,这里主要讨论硅单晶体中的位错和硅外延片中的层错。  位错是硅单晶中主要的一部分
    发布时间:2019-09-10   点击次数:51

  • [技术中心] 硅单晶的物理特性是什么

    单晶硅是一种比较活泼的非金属元素,是晶体材料的重要组成部分,处于新材料发展的前沿。其主要用途是用作半导体材料和利用太阳能光伏发电、供热[1]等。由于太阳能具有清洁、环保、方便等诸多优势,近三十年来,太阳能利用技术在研究开发、商
    发布时间:2017-08-10   点击次数:86

  • [公司新闻] 激光晶轴硅单晶定向的直接定向法  

    半导体硅单晶是具有一定晶向的,检测它的方法很多,这里主要介绍硅单晶定向的激光晶轴定向法。激光晶轴定向是在光点定向原理的基础上发展起来的.所谓光点定向就是在腐蚀坑基础上,用特制的光点反射仪来代替金相显微镜,可以较准确的从光学屏上反射出的图形位
    发布时间:2019-08-21   点击次数:51

  • [公司新闻] 几种光学硅单晶定向测量方法

      硅单晶定向测量装置的光学系统,光轴和结晶方向间的未知夹角可在屏幕上直接以弧度读出。适当设置一个或多个这样的光学系统,所有关于单晶建的定向问题都可解决。常见定向问题的有关原理将参照下列几种定向装置来论述。  1.单轴定向测量法  这种方法
    发布时间:2019-08-09   点击次数:34

  • [技术中心] 硅单晶定向是生产集成电路的主要原材料

    硅单晶,用于制造高硅铸铁、硅钢等合金,有机硅化合物和四氯化硅等,是一种重要的半导体材料,掺有微量杂质得硅单晶可用来制造大功率的晶体管,整流器和太阳能电池等。硅单晶定向是生产集成电路的主要原材料。硅片尺寸越大则每片硅片上可以制造的芯片数量就越
    发布时间:2018-02-06   点击次数:181

  • [技术中心] 硅单晶定向测量原理

      晶体定向是由与晶粒的形状和晶格所确定的晶向有关的晶体的各几何方向间的联系来确定的。硅单晶定向测量的方法很多,但相比之下,光学方法更具有特点。它使用起来简单、定向准确、可靠,能够处理任何半导体应用中的定向测量问题。   用作定向测量的光学
    发布时间:2019-08-01   点击次数:73

  • [公司新闻] 硅单晶定向切割工序可包括哪些?

    硅单晶定向切割工序可包括对所述碳化硅晶锭进行加工定位边,所述定位边至少包括主定位边。这样可以利用所得的主定位作为基准来进行后续切割工序中的定位。在所述切割工序中,以所述晶锭的主定位边和圆周作为基准,将所述多个晶锭粘接在定型支架上,并将粘接有
    发布时间:2019-07-25   点击次数:62

  • [展会信息] 半导体级硅单晶定向设备的原则

      晶体定向的作用,就为了确切地描述和表达构成晶体的晶面、晶棱以及对称要素在空间的展布方位。正如几何学中的一样,我们需要有的规则来给晶体定向,从而体现不同晶系的晶体的各项特征。半导体级硅单晶定向设备晶体定向的作用:晶体定向后就可以对晶体上所
    发布时间:2018-07-06   点击次数:215

  • [技术中心] 半导体碳化硅单晶材料的结构和性质

    以硅(Si)、砷化镓(GaAs)为代表的一代和二代半导体单晶材料的高速发展,推动了微电子、光电子技术的迅猛发展。然而受材料性能所限,这些半导体材料制成的器件大都只能在200℃以下的环境中工作,不能满足现代电子技术对高温、高频、高压以及抗辐射
    发布时间:2019-04-26   点击次数:40

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